種子每克85粒??刹シN繁殖,也可扦插、分株繁殖。多采用扦插、分株法繁殖,扦插可在春季、夏季初或夏末進行,扦插一般在5~6月進行。生根適宜溫度為20。C~25℃,插后約20~28天生根。
育苗培養
穴盤規格:288、200、128或72穴盤。
介質選擇:無病蟲害、排水良好的輕型介質,可用草炭、蛭石按一定比例混合而成,pH值5.8~6.2,EC值小于0.75mS/cm。播種后用粗蛭石覆蓋。
溫度:發芽適溫22℃~23℃,苗期生長適溫18℃~21℃。發芽天數4~6天。
光照:發芽階段不需要光,但發芽后及時補光可有效縮短種植周期。
水分:育苗期間保持介質潮濕,避免幼苗萎蔫。
肥料:子葉露出后開始每周施1~2次100ppm的肥料。
后期:氮肥濃度提高到150~175ppm,可用氮、磷、鉀配比為13-2-13或14-0-14與20-10-20的肥料交替施用。
生長調節劑:穴盤苗階段不需要使用。穴盤育苗天數6~8N(288穴盤)。
以無性繁殖為主,用假鱗莖分株繁殖。也可以石仙桃蒴果為材料,應用植物組織培養技術,篩選不同階段所需的最適培養基。其種子可在MS+20g·L蔗糖+8g·L瓊脂培養基上萌發,發芽率可達70%以上;MS+50g·L土豆+20g·L蔗糖+8g·L瓊脂培養基有利于原球莖分化小苗,低濃度6-BA和NAA組合適合原球莖增殖與芽的分化;在1/2MS+0.5mg·LNAA+20g·L蔗糖+8g·L瓊脂培養基上生根率達100%,通過以上系列培養基的培養可獲得完整植株。